第三代半导体碳化硅（SiC）设备及材料产业化项目概念方案设计丨中国广州丨北山建筑设计

第三代半导体碳化硅（SiC）设备及材料产业化项目

项目基地位于中新知识城的北区（知识孵化区），属于创新

研发孵化单元。项目用地属于一类工业用地，规划上划分在集成电路创新园内，毗邻枫下片区中心，南侧是环九龙湖总部核心经济带。

概念分析-三大设计策略：“生态开放”、“职住平衡”、“全产业链园区” 。

设计概念-未来已来之“芯片方舟”，集结起航，即刻开启科技新世界的大门 。

概念方案-效果图

概念方案-方案生成

全产业链园区-容积率4.0，总建筑面16.32万㎡；涵盖生产、研发、中试、检测、办公、会议、展览和宿舍食堂等功能。